A Samsung Electronics anunciou hoje que iniciou a produção em massa de sua DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb), que utiliza a tecnologia de processo de classe 12 nanómetros (nm) mais avançada da indústria.
Redução de consumo de energia e aumento de produtividade
Comparada com a geração anterior da memória aleatória de acesso rápido (DRAM), a nova DRAM DDR5 de 12 nm da Samsung reduz o consumo de energia em até 23% enquanto melhora a produtividade de wafer em até 20%, uma eficiência energética que reduz o consumo de energia e a pegada de carbono dos servidores e centros de dados.
Tecnologia de processo de 12 nm de última geração
O desenvolvimento da tecnologia de processo de classe 12 nm da Samsung foi possível graças ao uso de um novo material de alta constante dielétrica (high-κ) que ajuda a aumentar a capacitância da célula. Uma capacitância alta resulta numa diferença significativa de potencial elétrico nos sinais de dados, o que torna fácil distingui-los. Os esforços da empresa para reduzir a tensão de operação e o ruído também contribuíram para oferecer esta solução.
Produção em massa com impacto positivo na indústria de tecnologia
A produção em massa da DRAM DDR5 de 16 Gb da Samsung utilizando a tecnologia de processo de 12 nm marca um avanço significativo na indústria de tecnologia. Com sua redução de consumo de energia e aumento de produtividade, a fabricante coreana espera que esta nova geração de DRAM seja amplamente adotada por empresas de TI em todo o mundo, impulsionando a eficiência energética e a sustentabilidade ambiental.
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