A Samsung está prestes a revolucionar o mercado de armazenamento com um ambicioso projeto que promete transformar a forma como os centros de dados processam informação. A empresa sul-coreana planeia lançar, até 2026, um chip NAND vertical com 400 camadas, estabelecendo um novo marco na indústria.
O novo componente, denominado V10 NAND, está a ser desenvolvido pela divisão Device Solutions (DS) da Samsung, com o objetivo específico de responder à crescente procura por soluções de armazenamento em centros de dados dedicados à inteligência artificial.
De acordo com informações divulgadas pelo Korea Economic Daily, a Samsung optou por uma abordagem inovadora na construção deste chip. A tecnologia, designada como BV NAND (bonding vertical NANDFlash), separa a construção das células de memória do circuito periférico em diferentes wafers, que são posteriormente unidos num único chip.
Uma revolução no armazenamento para IA
Esta nova arquitetura representa um salto significativo na densidade de armazenamento, oferecendo um aumento de 1,6 vezes na densidade de bits por área unitária. Este avanço é particularmente relevante para os centros de dados que necessitam de processar enormes volumes de dados para aplicações de IA.
A tecnologia BV NAND foi especialmente pensada para minimizar a acumulação de calor, um dos principais desafios no desenvolvimento de chips de alta densidade. Esta característica é fundamental para manter a estabilidade e a eficiência energética em ambientes de computação intensiva.
Com o atual chip V9 NAND de 286 camadas já em produção, a Samsung prepara-se para dar um salto ainda maior com o V10. Esta evolução poderá permitir a criação de unidades SSD com capacidades superiores a 200TB, estabelecendo novos patamares para o armazenamento em larga escala.
Roteiro ambicioso para o futuro
A Samsung não planeia abrandar após o lançamento do V10 NAND. A empresa já delineou planos para introduzir o V11 NAND em 2027, prometendo velocidades de transferência de dados 50% mais rápidas que a geração anterior.
O fabricante sul-coreano demonstra ainda maior ambição ao revelar planos para desenvolver chips com mais de 1.000 camadas até 2030. Esta meta sublinha o compromisso da empresa em manter a sua posição de liderança num mercado cada vez mais competitivo.
Avanços paralelos em outras tecnologias
Em paralelo ao desenvolvimento do NAND, a Samsung está também a avançar no segmento DRAM. A empresa pretende lançar as memórias DRAM de sexta geração 1c e sétima geração 1d até ao final de 2024, visando especificamente o mercado de processadores de IA de alto desempenho.
Os planos incluem ainda o desenvolvimento de DRAM sub-10 nm 0a até 2027, utilizando uma estrutura de transístor de canal vertical para garantir maior estabilidade e eficiência. Esta tecnologia complementará as soluções de armazenamento NAND, oferecendo um ecossistema completo para as necessidades computacionais do futuro.
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